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- Artikelnummer:
- IPI030N10N3GHKSA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IPI030N10N3GHKSA1 elektronische Komponenten. IPI030N10N3GHKSA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IPI030N10N3GHKSA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IPI030N10N3GHKSA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPI030N10N3GHKSA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
Serie :
OptiMOS™
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 275µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
206nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
14800pF @ 50V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
300W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
PG-TO262-3
Paket / fall :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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