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Microsemi Corporation - 1N6630US

KEY Part #: K6447697

1N6630US Preise (USD) [3537Stück Lager]

  • 1 pcs$12.24659
  • 100 pcs$7.55184
Artikelnummer:
1N6630US
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN PURP 900V 1.4A D5B. Rectifiers Rectifier
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - JFETs, Dioden - Zener - Arrays, Dioden - RF and Dioden - Gleichrichter - Single ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation 1N6630US elektronische Komponenten. 1N6630US kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu 1N6630US haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N6630US Produkteigenschaften

Artikelnummer : 1N6630US
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : DIODE GEN PURP 900V 1.4A D5B
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 900V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 1.4A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.7V @ 3A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 50ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 4µA @ 100V
Kapazität @ Vr, F : -
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : E-MELF
Supplier Device Package : D-5B
Betriebstemperatur - Übergang : -65°C ~ 150°C

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