Infineon Technologies - BUZ32

KEY Part #: K6409908

[119Stück Lager]


    Artikelnummer:
    BUZ32
    Hersteller:
    Infineon Technologies
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220AB.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - TRIACs, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - IGBTs - Arrays and Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies BUZ32 elektronische Komponenten. BUZ32 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu BUZ32 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BUZ32 Produkteigenschaften

    Artikelnummer : BUZ32
    Hersteller : Infineon Technologies
    Beschreibung : MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220AB
    Serie : SIPMOS®
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 200V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 9.5A (Tc)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 400 mOhm @ 6A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -
    Vgs (Max) : ±20V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 530pF @ 25V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 75W (Tc)
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Through Hole
    Supplier Device Package : PG-TO220-3
    Paket / fall : TO-220-3

    Sie könnten auch interessiert sein an
    • FDD6670AS

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 30V 76A DPAK.

    • PSMN2R2-40PS,127

      Nexperia USA Inc.

      MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB.

    • BSS84P E6433

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23.

    • BSS169 E6906

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23.

    • BSS169 E6327

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23.

    • BSS159N E6906

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23.