ON Semiconductor - FDD6670AS

KEY Part #: K6409999

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    Artikelnummer:
    FDD6670AS
    Hersteller:
    ON Semiconductor
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N-CH 30V 76A DPAK.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - Programmierbare Einheit, Dioden - Zener - Single and Transistoren - JFETs ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FDD6670AS elektronische Komponenten. FDD6670AS kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FDD6670AS haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FDD6670AS Produkteigenschaften

    Artikelnummer : FDD6670AS
    Hersteller : ON Semiconductor
    Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 76A DPAK
    Serie : PowerTrench®
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 76A (Ta)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8 mOhm @ 13.8A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 1mA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 40nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1580pF @ 15V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 70W (Ta)
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Surface Mount
    Supplier Device Package : TO-252
    Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63