IXYS - IXFP30N60X

KEY Part #: K6395129

IXFP30N60X Preise (USD) [22107Stück Lager]

  • 1 pcs$2.06083
  • 50 pcs$2.05058

Artikelnummer:
IXFP30N60X
Hersteller:
IXYS
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 30A TO220.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - spezieller Zweck, Thyristoren - SCRs - Module, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Dioden - RF and Transistoren - IGBTs - Module ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf IXYS IXFP30N60X elektronische Komponenten. IXFP30N60X kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IXFP30N60X haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFP30N60X Produkteigenschaften

Artikelnummer : IXFP30N60X
Hersteller : IXYS
Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 30A TO220
Serie : HiPerFET™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 30A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 155 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 4mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 56nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2270pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 500W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-220
Paket / fall : TO-220-3