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- Artikelnummer:
- SPD03N60C3BTMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 650V 3.2A DPAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Dioden - Gleichrichter - Single, Thyristoren - SCRs - Module, Dioden - Zener - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF and Thyristoren - DIACs, SIDACs ...
- Wettbewerbsvorteil:
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SPD03N60C3BTMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SPD03N60C3BTMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 650V 3.2A DPAK
Serie :
CoolMOS™
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
3.2A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.4 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.9V @ 135µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
17nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
400pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
38W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-TO252-3
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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