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- Artikelnummer:
- TPC6012(TE85L,F,M)
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 20V 6A VS6.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - spezieller Zweck, Dioden - Brückengleichrichter, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays and Thyristoren - TRIACs ...
- Wettbewerbsvorteil:
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TPC6012(TE85L,F,M) Produkteigenschaften
Artikelnummer :
TPC6012(TE85L,F,M)
Hersteller :
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung :
MOSFET N-CH 20V 6A VS6
Serie :
U-MOSIV
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
6A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
20 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.2V @ 200µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
9nC @ 5V
Vgs (Max) :
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
630pF @ 10V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
700mW (Ta)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
VS-6 (2.9x2.8)
Paket / fall :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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