SIDR140DP-T1-GE3 Preise (USD) [74078Stück Lager]
- 1 pcs$0.52783
- Artikelnummer:
- SIDR140DP-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CHAN 25V PPAK SO-8DC.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Leistungstreibermodule, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Dioden - Brückengleichrichter, Dioden - Zener - Arrays, Dioden - Zener - Single, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix SIDR140DP-T1-GE3 elektronische Komponenten. SIDR140DP-T1-GE3 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SIDR140DP-T1-GE3 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
SIDR140DP-T1-GE3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SIDR140DP-T1-GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET N-CHAN 25V PPAK SO-8DC
Serie :
TrenchFET® Gen IV
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
25V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
79A (Ta), 100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
0.67 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
170nC @ 10V
Vgs (Max) :
+20V, -16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
8150pF @ 10V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
6.25W (Ta), 125W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PowerPAK® SO-8DC
Paket / fall :
PowerPAK® SO-8
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