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- Artikelnummer:
- SPP11N60S5HKSA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 650V 11A TO-220AB.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Thyristoren - SCRs - Module, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - IGBTs - Single, Thyristoren - TRIACs, Leistungstreibermodule and Transistoren - FETs, MOSFETs - HF ...
- Wettbewerbsvorteil:
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SPP11N60S5HKSA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SPP11N60S5HKSA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 650V 11A TO-220AB
Serie :
CoolMOS™
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
11A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
380 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5.5V @ 500µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
54nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1460pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
125W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
PG-TO220-3-1
Paket / fall :
TO-220-3
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