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- Artikelnummer:
- IRF5802TR
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Leistungstreibermodule, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays ...
- Wettbewerbsvorteil:
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IRF5802TR Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IRF5802TR
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP
Serie :
HEXFET®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
150V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
900mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.2 Ohm @ 540mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
6.8nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
88pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2W (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
Micro6™(TSOP-6)
Paket / fall :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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