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Microsemi Corporation - APTM120UM70DAG

KEY Part #: K6396561

APTM120UM70DAG Preise (USD) [373Stück Lager]

  • 1 pcs$124.75785
  • 100 pcs$124.13717
Artikelnummer:
APTM120UM70DAG
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 1200V 171A SP6.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - IGBTs - Arrays, Thyristoren - SCRs - Module, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - IGBTs - Single and Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation APTM120UM70DAG elektronische Komponenten. APTM120UM70DAG kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu APTM120UM70DAG haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTM120UM70DAG Produkteigenschaften

Artikelnummer : APTM120UM70DAG
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : MOSFET N-CH 1200V 171A SP6
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 171A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 80 mOhm @ 85.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 30mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 1650nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 43500pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 5000W (Tc)
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Supplier Device Package : SP6
Paket / fall : SP6

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