STGD6M65DF2 Preise (USD) [165699Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- STGD6M65DF2
- Hersteller:
- STMicroelectronics
- Detaillierte Beschreibung:
- TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M S.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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STGD6M65DF2 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
STGD6M65DF2
Hersteller :
STMicroelectronics
Beschreibung :
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M S
Serie :
M
Teilestatus :
Active
IGBT-Typ :
Trench Field Stop
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
650V
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
12A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) :
24A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic :
2V @ 15V, 6A
Leistung max :
88W
Energie wechseln :
36µJ (on), 200µJ (off)
Eingabetyp :
Standard
Gate Charge :
21.2nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C :
15ns/90ns
Testbedingung :
400V, 6A, 22 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) :
140ns
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package :
DPAK
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