Rohm Semiconductor - RD3P200SNFRATL

KEY Part #: K6393168

RD3P200SNFRATL Preise (USD) [79619Stück Lager]

  • 1 pcs$0.49110

Artikelnummer:
RD3P200SNFRATL
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Detaillierte Beschreibung:
RD3P200SNFRA IS A POWER MOSFET F.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - IGBTs - Single, Thyristoren - TRIACs, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - JFETs, Dioden - Zener - Single and Dioden - Zener - Arrays ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Rohm Semiconductor RD3P200SNFRATL elektronische Komponenten. RD3P200SNFRATL kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu RD3P200SNFRATL haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RD3P200SNFRATL Produkteigenschaften

Artikelnummer : RD3P200SNFRATL
Hersteller : Rohm Semiconductor
Beschreibung : RD3P200SNFRA IS A POWER MOSFET F
Serie : Automotive, AEC-Q101
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 20A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 46 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 55nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2100pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 20W (Tc)
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : TO-252
Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63