STH110N10F7-6 Preise (USD) [12429Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- STH110N10F7-6
- Hersteller:
- STMicroelectronics
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-6.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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STH110N10F7-6 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
STH110N10F7-6
Hersteller :
STMicroelectronics
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-6
Serie :
DeepGATE™, STripFET™ VII
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
110A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6.5 mOhm @ 55A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
72nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
5117pF @ 50V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
150W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
H2PAK-6
Paket / fall :
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
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