APTM100H46FT3G Preise (USD) [1855Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- APTM100H46FT3G
- Hersteller:
- Microsemi Corporation
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 4N-CH 1000V 19A SP3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - IGBTs - Single, Dioden - RF, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln and Leistungstreibermodule ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation APTM100H46FT3G elektronische Komponenten. APTM100H46FT3G kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu APTM100H46FT3G haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
APTM100H46FT3G Produkteigenschaften
Artikelnummer :
APTM100H46FT3G
Hersteller :
Microsemi Corporation
Beschreibung :
MOSFET 4N-CH 1000V 19A SP3
Serie :
POWER MOS 8™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
4 N-Channel (H-Bridge)
FET-Funktion :
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
1000V (1kV)
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
19A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
552 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 2.5mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
260nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
6800pF @ 25V
Leistung max :
357W
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Chassis Mount
Paket / fall :
SP3
Supplier Device Package :
SP3
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