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- Artikelnummer:
- IRF8513TRPBF
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioden - Brückengleichrichter, Dioden - Gleichrichter - Single, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - Programmierbare Einheit, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) and Transistoren - IGBTs - Module ...
- Wettbewerbsvorteil:
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IRF8513TRPBF Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IRF8513TRPBF
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC
Serie :
HEXFET®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
8A, 11A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
15.5 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.35V @ 25µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
8.6nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
766pF @ 15V
Leistung max :
1.5W, 2.4W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package :
8-SO
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