SIS903DN-T1-GE3 Preise (USD) [201147Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- SIS903DN-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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SIS903DN-T1-GE3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SIS903DN-T1-GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212
Serie :
TrenchFET® Gen III
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
20.1 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
42nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2565pF @ 10V
Leistung max :
2.6W (Ta), 23W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
PowerPAK® 1212-8 Dual
Supplier Device Package :
PowerPAK® 1212-8 Dual
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