IXYS - IXFN20N120P

KEY Part #: K6395028

IXFN20N120P Preise (USD) [2732Stück Lager]

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Artikelnummer:
IXFN20N120P
Hersteller:
IXYS
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - TRIACs, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - JFETs, Leistungstreibermodule, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - IGBTs - Module, Dioden - Zener - Single and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt ...
Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFN20N120P Produkteigenschaften

Artikelnummer : IXFN20N120P
Hersteller : IXYS
Beschreibung : MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B
Serie : Polar™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 20A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 570 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 6.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 193nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 11100pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 595W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Supplier Device Package : SOT-227B
Paket / fall : SOT-227-4, miniBLOC