IXTY18P10T Preise (USD) [38564Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IXTY18P10T
- Hersteller:
- IXYS
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET P-CH 100V 18A TO-252.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
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IXTY18P10T Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IXTY18P10T
Hersteller :
IXYS
Beschreibung :
MOSFET P-CH 100V 18A TO-252
Serie :
TrenchP™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
18A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
120 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
39nC @ 10V
Vgs (Max) :
±15V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2100pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
83W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
TO-252
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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