IXYS - IXTY18P10T

KEY Part #: K6395002

IXTY18P10T Preise (USD) [38564Stück Lager]

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Artikelnummer:
IXTY18P10T
Hersteller:
IXYS
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET P-CH 100V 18A TO-252.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTY18P10T Produkteigenschaften

Artikelnummer : IXTY18P10T
Hersteller : IXYS
Beschreibung : MOSFET P-CH 100V 18A TO-252
Serie : TrenchP™
Teilestatus : Active
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 18A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 120 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 39nC @ 10V
Vgs (Max) : ±15V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2100pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 83W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : TO-252
Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63