Vishay Semiconductor Diodes Division - SE70PJ-M3/86A

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Artikelnummer:
SE70PJ-M3/86A
Hersteller:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN PURP 600V 2.9A TO277A. Rectifiers 7A, 600V, ESD PROTECTION, SM
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
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Familienkategorien:
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Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SE70PJ-M3/86A Produkteigenschaften

Artikelnummer : SE70PJ-M3/86A
Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung : DIODE GEN PURP 600V 2.9A TO277A
Serie : Automotive, AEC-Q101
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 2.9A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.05V @ 7A
Geschwindigkeit : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 2.6µs
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 20µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F : 76pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : TO-277, 3-PowerDFN
Supplier Device Package : TO-277A (SMPC)
Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 175°C

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