STMicroelectronics - STL17N65M5

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Artikelnummer:
STL17N65M5
Hersteller:
STMicroelectronics
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 1.8A POWERFLAT.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Zener - Single, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Leistungstreibermodule, Thyristoren - TRIACs, Dioden - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF and Transistoren - FETs, MOSFETs - HF ...
Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STL17N65M5 Produkteigenschaften

Artikelnummer : STL17N65M5
Hersteller : STMicroelectronics
Beschreibung : MOSFET N-CH 650V 1.8A POWERFLAT
Serie : MDmesh™ V
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 1.8A (Ta), 10A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 374 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 22nC @ 10V
Vgs (Max) : ±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 816pF @ 100V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 2.8W (Ta), 70W (Tc)
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : PowerFlat™ (8x8) HV
Paket / fall : 8-PowerVDFN

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