NXP USA Inc. - PSMN3R7-30YLC,115

KEY Part #: K6415267

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    Artikelnummer:
    PSMN3R7-30YLC,115
    Hersteller:
    NXP USA Inc.
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Dioden - Brückengleichrichter, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) and Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann ...
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    PSMN3R7-30YLC,115 Produkteigenschaften

    Artikelnummer : PSMN3R7-30YLC,115
    Hersteller : NXP USA Inc.
    Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
    Serie : -
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 100A (Tc)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.95 mOhm @ 20A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1.95V @ 1mA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 29nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1848pF @ 15V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 79W (Tc)
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Befestigungsart : Surface Mount
    Supplier Device Package : LFPAK56, Power-SO8
    Paket / fall : SC-100, SOT-669