V10WM100-M3/I Preise (USD) [181524Stück Lager]
- 1 pcs$0.20478
- 5,000 pcs$0.20376
- Artikelnummer:
- V10WM100-M3/I
- Hersteller:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Detaillierte Beschreibung:
- DIODE SCHOTTKY 10A 100V DPAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - IGBTs - Module and Transistoren - JFETs ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Vishay Semiconductor Diodes Division V10WM100-M3/I elektronische Komponenten. V10WM100-M3/I kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu V10WM100-M3/I haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
V10WM100-M3/I Produkteigenschaften
Artikelnummer :
V10WM100-M3/I
Hersteller :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung :
DIODE SCHOTTKY 10A 100V DPAK
Serie :
-
Teilestatus :
Active
Diodentyp :
Schottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
100V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) :
10A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
750mV @ 10A
Geschwindigkeit :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
-
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
700µA @ 100V
Kapazität @ Vr, F :
-
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package :
TO-252, (D-Pak)
Betriebstemperatur - Übergang :
-40°C ~ 150°C
Neuesten Nachrichten
Sie könnten auch interessiert sein an
-
-
RURD460S9A
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 600V 4A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching Ultra Fast Diode 4a 600V
-
-
-
RURD4120S9A-F085
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 1.2KV 4A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching 4A 1200V Ultrafast
-
FFSD10120A
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 1.2KV TO252. Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide Schottky Diode
Heiße Teile
- MBR1645-10HE3/45
- D251K12BXPSA1
- JTXM19500/469-05
- UF1503S-B
- SB05-05C-M-TB-E
- LS412060
- FR204TA
- JANTX1N6661US
- RGP10K-M3/73
- GP10G-4004E-M3/73
- RU 3AM
- RF 1A
- SD24145
- JANTXV1N5802
- MBRB1050HE3/45
- HER604-TP
- SS1H10HE3/61T
- S5MHE3/57T
- ESH2PD-E3/84A
- SS8PH9HM3/87A
- SS2P3-E3/85A
- SS1H10HE3/5AT
- SS19-E3/5AT
- GP30KHE3/54
- GP20B-E3/54
- EGP20DHE3/73
- STPS1545R
- STTH3002G
- LSM345JE3
- ES2A-TP
- VS-HFA16TB120PBF
- VS-1N5819
- 241NQ045R
- 1N6630
- RL103-AP
- ER303-AP
- RO 2CV1
- RU 3AV1
- S10MC M6G
- ES3A M6G