TPH2010FNH,L1Q Preise (USD) [157178Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- TPH2010FNH,L1Q
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 250V 5.6A 8SOP.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - IGBTs - Single, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Dioden - RF, Dioden - Gleichrichter - Single, Thyristoren - SCRs - Module and Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Toshiba Semiconductor and Storage TPH2010FNH,L1Q elektronische Komponenten. TPH2010FNH,L1Q kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu TPH2010FNH,L1Q haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
TPH2010FNH,L1Q Produkteigenschaften
Artikelnummer :
TPH2010FNH,L1Q
Hersteller :
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung :
MOSFET N-CH 250V 5.6A 8SOP
Serie :
U-MOSVIII-H
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
250V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
5.6A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
198 mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 200µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
7nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
600pF @ 100V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
1.6W (Ta), 42W (Tc)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
8-SOP Advance (5x5)
Paket / fall :
8-PowerVDFN
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