ZXMC4A16DN8TA Preise (USD) [102096Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- ZXMC4A16DN8TA
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Dioden - Brückengleichrichter, Dioden - Zener - Arrays and Transistoren - IGBTs - Single ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Diodes Incorporated ZXMC4A16DN8TA elektronische Komponenten. ZXMC4A16DN8TA kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu ZXMC4A16DN8TA haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
ZXMC4A16DN8TA Produkteigenschaften
Artikelnummer :
ZXMC4A16DN8TA
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N and P-Channel Complementary
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
5.2A (Ta), 4.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
50 mOhm @ 4.5A, 10V, 60 mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250mA (Min)
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
17nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
770pF @ 40V, 1000pF @ 20V
Leistung max :
2.1W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package :
8-SO
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