ON Semiconductor - NVC3S5A51PLZT1G

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Artikelnummer:
NVC3S5A51PLZT1G
Hersteller:
ON Semiconductor
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET P-CHANNEL 60V 1.8A 3-CPH.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NVC3S5A51PLZT1G Produkteigenschaften

Artikelnummer : NVC3S5A51PLZT1G
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET P-CHANNEL 60V 1.8A 3-CPH
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 1.8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 250 mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.6V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 6nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 262pF @ 20V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 1.2W (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 3-CPH
Paket / fall : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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