ON Semiconductor - FDG311N

KEY Part #: K6416166

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Artikelnummer:
FDG311N
Hersteller:
ON Semiconductor
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 20V 1.9A SC70-6.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDG311N Produkteigenschaften

Artikelnummer : FDG311N
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 20V 1.9A SC70-6
Serie : PowerTrench®
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 1.9A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 115 mOhm @ 1.9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 4.5nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 270pF @ 10V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 750mW (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : SC-88 (SC-70-6)
Paket / fall : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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