FDG311N Preise (USD) [529955Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- FDG311N
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 20V 1.9A SC70-6.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Familienkategorien:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FDG311N elektronische Komponenten. FDG311N kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FDG311N haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
FDG311N Produkteigenschaften
Artikelnummer :
FDG311N
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 20V 1.9A SC70-6
Serie :
PowerTrench®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
1.9A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
115 mOhm @ 1.9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
4.5nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
270pF @ 10V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
750mW (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
SC-88 (SC-70-6)
Paket / fall :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
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