Microsemi Corporation - APT8075BN

KEY Part #: K6401426

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    Artikelnummer:
    APT8075BN
    Hersteller:
    Microsemi Corporation
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N-CH 800V 13A TO247AD.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - JFETs, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Dioden - Gleichrichter - Arrays and Dioden - Zener - Arrays ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation APT8075BN elektronische Komponenten. APT8075BN kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu APT8075BN haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    APT8075BN Produkteigenschaften

    Artikelnummer : APT8075BN
    Hersteller : Microsemi Corporation
    Beschreibung : MOSFET N-CH 800V 13A TO247AD
    Serie : POWER MOS IV®
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 800V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 13A (Tc)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 750 mOhm @ 6.5A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 130nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±30V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2950pF @ 25V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 310W (Tc)
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Through Hole
    Supplier Device Package : TO-247AD
    Paket / fall : TO-247-3

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