SCT2H12NYTB Preise (USD) [25402Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- SCT2H12NYTB
- Hersteller:
- Rohm Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- 1700V 1.2 OHM 4A SIC FET.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - spezieller Zweck, Dioden - RF, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single and Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays ...
- Wettbewerbsvorteil:
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SCT2H12NYTB Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SCT2H12NYTB
Hersteller :
Rohm Semiconductor
Beschreibung :
1700V 1.2 OHM 4A SIC FET
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
1700V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.5 Ohm @ 1.1A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 410µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
14nC @ 18V
Vgs (Max) :
+22V, -6V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
184pF @ 800V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
44W (Tc)
Betriebstemperatur :
175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
TO-268
Paket / fall :
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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