BSG0811NDATMA1 Preise (USD) [89957Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- BSG0811NDATMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A 8TISON.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies BSG0811NDATMA1 elektronische Komponenten. BSG0811NDATMA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu BSG0811NDATMA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
BSG0811NDATMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
BSG0811NDATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A 8TISON
Serie :
OptiMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET-Funktion :
Logic Level Gate, 4.5V Drive
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
25V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
19A, 41A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
8.4nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1100pF @ 12V
Leistung max :
2.5W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-PowerTDFN
Supplier Device Package :
PG-TISON-8
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