IPZ40N04S5L4R8ATMA1 Preise (USD) [252466Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IPZ40N04S5L4R8ATMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 8TDSON.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IPZ40N04S5L4R8ATMA1 elektronische Komponenten. IPZ40N04S5L4R8ATMA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IPZ40N04S5L4R8ATMA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPZ40N04S5L4R8ATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 8TDSON
Serie :
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
40A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 17µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
29nC @ 10V
Vgs (Max) :
±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1560pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
48W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-TSDSON-8
Paket / fall :
8-PowerVDFN
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