PMZB670UPE,315 Preise (USD) [1345244Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- PMZB670UPE,315
- Hersteller:
- Nexperia USA Inc.
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET P-CH 20V 680MA DFN1006B-3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Leistungstreibermodule, Transistoren - IGBTs - Single, Dioden - RF, Dioden - Zener - Single and Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann ...
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PMZB670UPE,315 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
PMZB670UPE,315
Hersteller :
Nexperia USA Inc.
Beschreibung :
MOSFET P-CH 20V 680MA DFN1006B-3
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
680mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
850 mOhm @ 400mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
1.14nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
87pF @ 10V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
DFN1006B-3
Paket / fall :
3-XFDFN
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