Rohm Semiconductor - RP1E070XNTCR

KEY Part #: K6404512

[1986Stück Lager]


    Artikelnummer:
    RP1E070XNTCR
    Hersteller:
    Rohm Semiconductor
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N-CH 30V 7A MPT6.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Dioden - RF, Transistoren - JFETs, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Dioden - Zener - Single, Thyristoren - TRIACs and Transistoren - IGBTs - Module ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf Rohm Semiconductor RP1E070XNTCR elektronische Komponenten. RP1E070XNTCR kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu RP1E070XNTCR haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    RP1E070XNTCR Produkteigenschaften

    Artikelnummer : RP1E070XNTCR
    Hersteller : Rohm Semiconductor
    Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 7A MPT6
    Serie : -
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 7A (Ta)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 28 mOhm @ 7A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 5.8nC @ 5V
    Vgs (Max) : ±20V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 390pF @ 10V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 2W (Ta)
    Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Surface Mount
    Supplier Device Package : MPT6
    Paket / fall : 6-SMD, Flat Leads

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