VS-GB100TH120N Preise (USD) [261Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- VS-GB100TH120N
- Hersteller:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Detaillierte Beschreibung:
- IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Thyristoren - Thyristoren, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Dioden - RF, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF and Thyristoren - TRIACs ...
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VS-GB100TH120N Produkteigenschaften
Artikelnummer :
VS-GB100TH120N
Hersteller :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung :
IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK
Serie :
-
Teilestatus :
Active
IGBT-Typ :
-
Aufbau :
Half Bridge
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
200A
Leistung max :
833W
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic :
2.35V @ 15V, 100A
Strom - Kollektorabschaltung (max.) :
5mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce :
8.58nF @ 25V
Eingang :
Standard
NTC-Thermistor :
No
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Chassis Mount
Paket / fall :
Double INT-A-PAK (3 + 4)
Supplier Device Package :
Double INT-A-PAK
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