IRFI4510GPBF Preise (USD) [43906Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IRFI4510GPBF
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N CH 100V 35A TO220.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
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IRFI4510GPBF Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IRFI4510GPBF
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N CH 100V 35A TO220
Serie :
HEXFET®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
35A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
13.5 mOhm @ 21A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
81nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2998pF @ 50V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
42W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-220AB Full-Pak
Paket / fall :
TO-220-3 Full Pack
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