ESH1D-M3/5AT Preise (USD) [668009Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- ESH1D-M3/5AT
- Hersteller:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Detaillierte Beschreibung:
- DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC. Rectifiers 1A,200V,25NS,UF RECT,SMD
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Dioden - Zener - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - Programmierbare Einheit and Thyristoren - TRIACs ...
- Wettbewerbsvorteil:
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ESH1D-M3/5AT Produkteigenschaften
Artikelnummer :
ESH1D-M3/5AT
Hersteller :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung :
DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
Serie :
-
Teilestatus :
Active
Diodentyp :
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
200V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) :
1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
900mV @ 1A
Geschwindigkeit :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
25ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
1µA @ 200V
Kapazität @ Vr, F :
25pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
DO-214AC, SMA
Supplier Device Package :
DO-214AC (SMA)
Betriebstemperatur - Übergang :
-55°C ~ 175°C
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- RGP10K-M3/73
- GP10G-4004E-M3/73
- RU 3AM
- RF 1A
- SD24145
- JANTXV1N5802
- MBRB1050HE3/45
- HER604-TP
- SS1H10HE3/61T
- S5MHE3/57T
- ESH2PD-E3/84A
- SS8PH9HM3/87A
- SS2P3-E3/85A
- SS1H10HE3/5AT
- SS19-E3/5AT
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- GP20B-E3/54
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- STTH3002G
- LSM345JE3
- ES2A-TP
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- VS-1N5819
- 241NQ045R
- 1N6630
- RL103-AP
- ER303-AP
- RO 2CV1
- RU 3AV1
- S10MC M6G
- ES3A M6G