SSM3J35MFV,L3F Preise (USD) [2750629Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- SSM3J35MFV,L3F
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET P-CH 20V 0.1A VESM.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Programmierbare Einheit, Dioden - RF, Transistoren - IGBTs - Arrays, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - spezieller Zweck, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - Bipolar (BJT) - Single and Transistoren - IGBTs - Module ...
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SSM3J35MFV,L3F Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SSM3J35MFV,L3F
Hersteller :
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung :
MOSFET P-CH 20V 0.1A VESM
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
100mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8 Ohm @ 50mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (Max) :
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
12.2pF @ 3V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
150mW (Ta)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
VESM
Paket / fall :
SOT-723
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