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- Artikelnummer:
- IRFB9N60A
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-220AB.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - JFETs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Dioden - Zener - Arrays, Dioden - RF, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln and Dioden - Brückengleichrichter ...
- Wettbewerbsvorteil:
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IRFB9N60A Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IRFB9N60A
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-220AB
Serie :
-
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
9.2A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
750 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
49nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1400pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
170W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-220AB
Paket / fall :
TO-220-3
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