RQ6C050UNTR Preise (USD) [615676Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- RQ6C050UNTR
- Hersteller:
- Rohm Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 20V 5A TSMT.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - RF, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Dioden - Brückengleichrichter, Dioden - Gleichrichter - Single and Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Rohm Semiconductor RQ6C050UNTR elektronische Komponenten. RQ6C050UNTR kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu RQ6C050UNTR haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
RQ6C050UNTR Produkteigenschaften
Artikelnummer :
RQ6C050UNTR
Hersteller :
Rohm Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 20V 5A TSMT
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
30 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
12nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
900pF @ 10V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
1.25W (Ta)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
TSMT6 (SC-95)
Paket / fall :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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