TPN4R303NL,L1Q Preise (USD) [247410Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- TPN4R303NL,L1Q
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 30V 63A 8TSON.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Dioden - Zener - Single, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays and Dioden - Brückengleichrichter ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Toshiba Semiconductor and Storage TPN4R303NL,L1Q elektronische Komponenten. TPN4R303NL,L1Q kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu TPN4R303NL,L1Q haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
TPN4R303NL,L1Q Produkteigenschaften
Artikelnummer :
TPN4R303NL,L1Q
Hersteller :
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung :
MOSFET N-CH 30V 63A 8TSON
Serie :
U-MOSVIII-H
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
40A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.3 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.3V @ 200µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
14.8nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1400pF @ 15V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
700mW (Ta), 34W (Tc)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
8-TSON Advance (3.3x3.3)
Paket / fall :
8-PowerVDFN
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