Toshiba Semiconductor and Storage - TPN2R304PL,L1Q

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Artikelnummer:
TPN2R304PL,L1Q
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 40V 80A TSON.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TPN2R304PL,L1Q Produkteigenschaften

Artikelnummer : TPN2R304PL,L1Q
Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung : MOSFET N-CH 40V 80A TSON
Serie : U-MOSIX-H
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.3 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 0.3mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 41nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 3600pF @ 20V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 630mW (Ta), 104W (Tc)
Betriebstemperatur : 175°C
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Paket / fall : 8-PowerVDFN

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