IPDD60R190G7XTMA1 Preise (USD) [63114Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IPDD60R190G7XTMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET NCH 650V 36A PG-HDSOP-10.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt and Transistoren - IGBTs - Single ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IPDD60R190G7XTMA1 elektronische Komponenten. IPDD60R190G7XTMA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IPDD60R190G7XTMA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IPDD60R190G7XTMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPDD60R190G7XTMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET NCH 650V 36A PG-HDSOP-10
Serie :
CoolMOS™ G7
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
13A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
190 mOhm @ 4.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 210µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
18nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
718pF @ 400V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
76W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-HDSOP-10-1
Paket / fall :
10-PowerSOP Module
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