ON Semiconductor - FQT4N20TF

KEY Part #: K6411021

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    Artikelnummer:
    FQT4N20TF
    Hersteller:
    ON Semiconductor
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N-CH 200V 0.85A SOT-223.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Leistungstreibermodule, Transistoren - IGBTs - Module, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Thyristoren - TRIACs and Transistoren - IGBTs - Single ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FQT4N20TF elektronische Komponenten. FQT4N20TF kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FQT4N20TF haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FQT4N20TF Produkteigenschaften

    Artikelnummer : FQT4N20TF
    Hersteller : ON Semiconductor
    Beschreibung : MOSFET N-CH 200V 0.85A SOT-223
    Serie : -
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 200V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 850mA (Tc)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.4 Ohm @ 425mA, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 6.5nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±30V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 220pF @ 25V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 2.2W (Tc)
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Surface Mount
    Supplier Device Package : SOT-223-4
    Paket / fall : TO-261-4, TO-261AA

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