TPH3208LDG Preise (USD) [8238Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- TPH3208LDG
- Hersteller:
- Transphorm
- Detaillierte Beschreibung:
- GANFET N-CH 650V 20A PQFN.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Dioden - Zener - Single, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Thyristoren - SCRs - Module and Thyristoren - Thyristoren ...
- Wettbewerbsvorteil:
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TPH3208LDG Produkteigenschaften
Artikelnummer :
TPH3208LDG
Hersteller :
Transphorm
Beschreibung :
GANFET N-CH 650V 20A PQFN
Serie :
-
Teilestatus :
Not For New Designs
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
20A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
130 mOhm @ 13A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.6V @ 300µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
14nC @ 8V
Vgs (Max) :
±18V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
760pF @ 400V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
96W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
3-PQFN (8x8)
Paket / fall :
3-PowerDFN
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