Infineon Technologies - AUIRF1018E

KEY Part #: K6418700

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Artikelnummer:
AUIRF1018E
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 79A TO-220AB.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AUIRF1018E Produkteigenschaften

Artikelnummer : AUIRF1018E
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 79A TO-220AB
Serie : HEXFET®
Teilestatus : Not For New Designs
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 79A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.4 mOhm @ 47A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 69nC @ 10V
Vgs (Max) : -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2290pF @ 50V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 110W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-220AB
Paket / fall : TO-220-3