TK31J60W,S1VQ Preise (USD) [11067Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- TK31J60W,S1VQ
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N CH 600V 30.8A TO-3PN.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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TK31J60W,S1VQ Produkteigenschaften
Artikelnummer :
TK31J60W,S1VQ
Hersteller :
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung :
MOSFET N CH 600V 30.8A TO-3PN
Serie :
DTMOSIV
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
30.8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
88 mOhm @ 15.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.7V @ 1.5mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
86nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
3000pF @ 300V
FET-Funktion :
Super Junction
Verlustleistung (max.) :
230W (Tc)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-3P(N)
Paket / fall :
TO-3P-3, SC-65-3
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