Taiwan Semiconductor Corporation - TSM2N60SCW RPG

KEY Part #: K6416418

TSM2N60SCW RPG Preise (USD) [388764Stück Lager]

  • 1 pcs$0.09514

Artikelnummer:
TSM2N60SCW RPG
Hersteller:
Taiwan Semiconductor Corporation
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 600MA SOT223.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - DIACs, SIDACs, Leistungstreibermodule, Dioden - Zener - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - JFETs and Transistoren - IGBTs - Arrays ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Taiwan Semiconductor Corporation TSM2N60SCW RPG elektronische Komponenten. TSM2N60SCW RPG kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu TSM2N60SCW RPG haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TSM2N60SCW RPG Produkteigenschaften

Artikelnummer : TSM2N60SCW RPG
Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation
Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 600MA SOT223
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 600mA (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5 Ohm @ 600mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 13nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 435pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 2.5W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : SOT-223
Paket / fall : TO-261-4, TO-261AA