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Microsemi Corporation - APT80F60J

KEY Part #: K6393617

APT80F60J Preise (USD) [1803Stück Lager]

  • 1 pcs$26.54433
  • 10 pcs$26.41227
Artikelnummer:
APT80F60J
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - JFETs, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann and Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation APT80F60J elektronische Komponenten. APT80F60J kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu APT80F60J haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT80F60J Produkteigenschaften

Artikelnummer : APT80F60J
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227
Serie : POWER MOS 8™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 84A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 55 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 2.5mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 598nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 23994pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 961W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Supplier Device Package : ISOTOP®
Paket / fall : SOT-227-4, miniBLOC

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