IXTY3N60P Preise (USD) [79524Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IXTY3N60P
- Hersteller:
- IXYS
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 600V 3A D-PAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - IGBTs - Single, Thyristoren - SCRs - Module, Thyristoren - Thyristoren and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf IXYS IXTY3N60P elektronische Komponenten. IXTY3N60P kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IXTY3N60P haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IXTY3N60P Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IXTY3N60P
Hersteller :
IXYS
Beschreibung :
MOSFET N-CH 600V 3A D-PAK
Serie :
PolarHV™
Teilestatus :
Last Time Buy
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
3A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.9 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5.5V @ 50µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
9.8nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
411pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
70W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
TO-252, (D-Pak)
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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