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- Artikelnummer:
- STB11NM60N-1
- Hersteller:
- STMicroelectronics
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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STB11NM60N-1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
STB11NM60N-1
Hersteller :
STMicroelectronics
Beschreibung :
MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
Serie :
MDmesh™ II
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
10A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
450 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
31nC @ 10V
Vgs (Max) :
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
850pF @ 50V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
90W (Tc)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
I2PAK
Paket / fall :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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